1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人；
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力；
3、本项目不接受联合体受让。

1.转让标的整体受让，不可拆分。
2.专利1介绍：一种基于忆阻器的存储电路及其存储方法
专利申请日：2021-11-11
授权公告日：2024-03-29
专利权期限：20年
介绍：本发明提出了一种基于忆阻器的存储电路，包括信号输出单元、寻址单元、交叉阵列单元、存储状态读取单元和信号调节单元；所述信号输出单元能够根据存储数据的需求输出相应的写入或读取信号，读写信号由寻址单元控制并输入到交叉阵列单元；交叉阵列单元中的每个存储单元都能进行四值存储，与二值存储单元相比具有更高的存储密度。本发明提出了基于反馈和脉冲宽度调节的存储方法，该方法更具灵活性和包容性，能够使得忆阻器在具有某些缺陷的情况下进行数据存储，采用基于反馈和脉冲宽度调节的方法来进行存储状态的写入以及重写，能够使得数据存储更加精确。
专利2介绍：一种基于实物忆阻器的联想记忆电路及方法
专利申请日：2021-11-11
授权公告日：2024-03-19
专利权期限：20年
介绍：本发明提供了一种基于实物忆阻器的联想记忆电路及记忆方法，该电路包括突触单元和脉冲神经元单元；所述突触单元包括忆阻突触M1和忆阻突触M2；所述脉冲神经元单元包括突触前神经元A、突触前神经元B和突触后神经元C，突触前神经元A与突触前神经元B分别接收条件刺激信号和非条件刺激信号；突触单元与脉冲神经元单元组成一个基本联想记忆单元，若干个基本联想记忆单元可以组成生物神经网络。突触单元是基于实物忆阻器，改进了传统突触电路体积大、能耗高的缺点，提高了人工神经网络的集成度，为人工神经网络硬件电路模拟大规模生物神经网络提供了可能。
专利3介绍：一种具有自修复能力的柔性忆阻器及制备方法
专利申请日：2020-12-28
授权公告日：2024-03-19
专利权期限：20年
介绍：本发明提供了一种具有自修复能力的柔性忆阻器及制备方法，以金属薄板作为忆阻器正极，碳纤维纸(CFP)上沉积二氧化锰作为忆阻器负极，以ZnSO＆lt;subgt;4＆lt;/subgt;‑MnSO＆lt;subgt;4＆lt;/subgt;弱酸性溶液作为电解质溶液，依靠溶液中离子的扩散在二氧化锰薄膜上发生的氧化/还原反应，形成能够具有自发发生电化学反应能力的结构，实现忆阻器电阻的变化。本发明采用了液体电解质作为介质层、以液体电解质与负电极发生氧化/还原反应的薄膜层来实现忆阻性能，不仅利用界面反应增大了反应效率，还可以根据不同需要来调节离子浓度，进而实现忆阻性能的调节。本发明提供了一种易于物理实现、制备工艺简单、质量稳定、高循环性、成本低廉、生产效率高的液体柔性忆阻器的制备方法。
专利4介绍：一种基于有机溶液的柔性忆阻器及制备方法
专利申请日：2020-12-28
授权公告日：2023-01-10
专利权期限：20年
介绍：本发明提供了一种基于有机溶液的柔性忆阻器及制备方法，该忆阻器正极为金属，负极为碳，阻变介质为基于n‑Bu4NPF6的乙腈(CH3CN)有机溶液，依靠上述两种有机介质作为良好的P型半导体材料在偏压下产生的空穴和电子作为载流子，通过空穴和电子迁移产生量的变化来引起器件电阻量的变化，最终实现忆阻器电阻的变化。本发明还提供了一种易于物理实现、制备工艺简单、质量稳定、高循环性、成本低廉、生产效率高的液体柔性忆阻器的制备方法。本发明采用了有机溶液作为介质层、以偏压条件下有机溶液中空穴和电子迁移产生量的变化来实现忆阻性能，不仅利用界面反应增大了反应效率，还可以根据不同需要来调节有机溶液的浓度，进而实现忆阻性能的调节。
3.截至挂牌日，已取得专利证书。

意向受让方须承诺，在递交受让申请并交纳交易保证金后，即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序，完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容，并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果；成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的，否则将视为违约；非因转让方原因所引发的风险因素，由受让方自行承担。
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