
山东大学所持4项专利权及1项申请权转让
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项目名称 | 山东大学所持4项专利权及1项申请权转让 | 项目编号 | TAQT2404457 |
转让底价 | 120 万元 | 转让方 | 山东大学 |
保证金 | 0万元 | 保证金支付方式 | 银行转账 |
挂牌时间 | 2024-10-29 至 2024-11-04 |
一、项目介绍
技术项目信息登记表(供给方)
技术项目名称 | 山东大学所持4项专利权及1项申请权转让 | ||
行业分类 | dict_results_industry_89|dict_results_industry_90 | ||
战略性新兴产业分类 | dict_emerging_industries_220 | ||
权属人所属地域 | 山东省济南市历城区 | ||
十强产业领域 | 其他 | ||
项目权属(个人或单位名称) | 山东大学 | ||
专利情况 | 有 | ||
转让底价 | 120 万元 | ||
合作方式 | 成果转让 |
项目简介 | 1、转让标的整体受让,不可拆分。 2、本标的包含5项专利,各专利介绍如下: 一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用 专利申请日:2022年05月07日 授权公告日:2024年03月01日 专利权期限:20年 介绍:本发明涉及一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用。该晶体分子通式为Tb<subgt;3</subgt;Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;5 x</subgt;O<subgt;12</subgt;,1.75≤x<5,简写为TAGG,晶体属于石榴石结构。本发明的高铝TAGG磁光晶体用熔体法进行生长,采用“二次下种”技术,生长得到大尺寸、高质量单晶,而且在磁光、热学、光学等性能方面都优于TGG晶体,可以用于制作高效磁光器件。 氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法 专利申请日:2020年09月21日 授权公告日:2021年11月09日 专利权期限:20年 介绍:本发明提供氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法,通过合金液滴的滚动及合金气泡的方式制备了超薄的氧化镥薄膜。无高昂的设备、苛刻的条件、及复杂的操作,是一种氧化镥纳米材料的革新性制备方式。氧化镥作为高介电常数的材料的一种,其作为高介电常数栅介质材料的候选材料已进行过研究,与传统的工艺的CMOS工艺的兼容性已得到证实。所制得的超薄的氧化镥薄膜有效的解决了SiO2等材料等效栅氧化物厚度很难减小到3nm以下的缺点。克服优化了MOS晶体管的尺寸限制,不仅突破了材料方面的瓶颈,也极大地推进了后续氧化镥纳米材料的发展。 一种基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器 专利申请日:2022年08月12日 专利权期限:20年 介绍:本发明涉及一种基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器,包括:沿光路依次设置的第一偏振片、法拉第转子和第二偏振片,所述的法拉第转子包括磁线圈和设置于磁线圈中的磁光晶体,所述的磁光晶体为铽铝镓石榴石磁光晶体,晶体分子式为Tb3(Al1 xGax)5O12,0<x≤0.65。本发明的基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器,大大降低了热退偏效应,可以有效改善在高功率下应用性能退化的情况,在器件小型化方面也极具应用潜力。而且成本低廉,非常有利于商业化应用。 一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用 专利申请日:2023年03月31日 授权公告日:2024年06月04日 专利权期限:20年 介绍:本发明涉及一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用,该晶体分子式为Tb3(Sc1 xGax)2Al3O12,其中,0<x<1;本发明采用熔体法进行晶体生长,优先采用提拉法进行,通过Ga3+掺杂可以改善熔体特性,降低晶体熔点,降低熔体黏度,提高熔体流动性,调节离子间距,进行晶格调控,减少晶格畸变,缓解畸变应力,减少晶体内应力,最终制备完整无开裂的可满足高功率应用的新型铽钪镓铝石榴石磁光晶体,所生长的晶体质量高,加工性能好,磁光性能优异,可应用于光隔离器,光非互异元件,磁光开关等磁光元件。 一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法 专利申请日:2023年05月12日 授权公告日:2024年06月28日 专利权期限:20年 介绍:本发明提供一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法,其分子式为(RExTb1 x)3Sc2Al3O12,0<x<1,RE为稀土元素,本发明通过稀土离子掺杂进行改性生长,采用熔体提拉法生长晶体,掺杂稀土离子优先占据十二面体格位,稀土离子的掺入可以改善熔体特性,减小畸变应力,避免晶体在生长过程中累积热应力,有效的解决了TSAG磁光晶体开裂问题,同时也避免了晶体在后期加工和使用过程中产生开裂的问题,另外本发明的掺杂离子与Tb3+之间发生超交换作用,使得晶体比法拉第效应得以增强,进而提高晶体磁光性能。制备的铽钪铝石榴石磁光晶体完整无开裂,加工性能良好,具有优异的磁光性能,有望实现商业化应用。 3、其他重要事项详见评估报告。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
市场前景分析 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
与同类成果相比优势分析 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
专利明细 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
序号 | 名称 | 申请号 | 类别 | 申请日 | 授权日 |
1 | 一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用 | 202310334039.6 | 发明 | 2023-03-31 | 2024-06-04 |
2 | 一种基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器 | 202210967175.4 | 发明 | 2022-08-12 | -- |
3 | 一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用 | ZL202210491317.4 | 发明 | 2022-05-07 | 2024-03-01 |
4 | 一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法 | 202310534335.0 | 发明 | 2023-05-12 | 2024-06-28 |
5 | 氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法 | ZL202010992894.2 | 发明 | 2020-09-21 | 2021-11-09 |
专利是否合并转让 | 是 |
获得资助情况(国家计划课题等) | -- | ||
项目开发阶段 | -- | ||
样品情况 | 无 | 样品类型 | -- |
信息有效期 | -- 至 -- |
三、披露信息
价款支付方式 | 银行转账 | ||
受让方资格条件 | 1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人。 2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力。 3、本项目不接受联合体受让。 |
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重大事项及其他披露内容 | 1、转让标的整体受让,不可拆分。 2、本标的包含5项专利,各专利介绍如下: 一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用 专利申请日:2022年05月07日 授权公告日:2024年03月01日 专利权期限:20年 介绍:本发明涉及一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用。该晶体分子通式为Tb<subgt;3</subgt;Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;5 x</subgt;O<subgt;12</subgt;,1.75≤x<5,简写为TAGG,晶体属于石榴石结构。本发明的高铝TAGG磁光晶体用熔体法进行生长,采用“二次下种”技术,生长得到大尺寸、高质量单晶,而且在磁光、热学、光学等性能方面都优于TGG晶体,可以用于制作高效磁光器件。 氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法 专利申请日:2020年09月21日 授权公告日:2021年11月09日 专利权期限:20年 介绍:本发明提供氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法,通过合金液滴的滚动及合金气泡的方式制备了超薄的氧化镥薄膜。无高昂的设备、苛刻的条件、及复杂的操作,是一种氧化镥纳米材料的革新性制备方式。氧化镥作为高介电常数的材料的一种,其作为高介电常数栅介质材料的候选材料已进行过研究,与传统的工艺的CMOS工艺的兼容性已得到证实。所制得的超薄的氧化镥薄膜有效的解决了SiO2等材料等效栅氧化物厚度很难减小到3nm以下的缺点。克服优化了MOS晶体管的尺寸限制,不仅突破了材料方面的瓶颈,也极大地推进了后续氧化镥纳米材料的发展。 一种基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器 专利申请日:2022年08月12日 专利权期限:20年 介绍:本发明涉及一种基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器,包括:沿光路依次设置的第一偏振片、法拉第转子和第二偏振片,所述的法拉第转子包括磁线圈和设置于磁线圈中的磁光晶体,所述的磁光晶体为铽铝镓石榴石磁光晶体,晶体分子式为Tb3(Al1 xGax)5O12,0<x≤0.65。本发明的基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器,大大降低了热退偏效应,可以有效改善在高功率下应用性能退化的情况,在器件小型化方面也极具应用潜力。而且成本低廉,非常有利于商业化应用。 一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用 专利申请日:2023年03月31日 授权公告日:2024年06月04日 专利权期限:20年 介绍:本发明涉及一种新型高功率磁光晶体及其生长方法与应用,该晶体分子式为Tb3(Sc1 xGax)2Al3O12,其中,0<x<1;本发明采用熔体法进行晶体生长,优先采用提拉法进行,通过Ga3+掺杂可以改善熔体特性,降低晶体熔点,降低熔体黏度,提高熔体流动性,调节离子间距,进行晶格调控,减少晶格畸变,缓解畸变应力,减少晶体内应力,最终制备完整无开裂的可满足高功率应用的新型铽钪镓铝石榴石磁光晶体,所生长的晶体质量高,加工性能好,磁光性能优异,可应用于光隔离器,光非互异元件,磁光开关等磁光元件。 一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法 专利申请日:2023年05月12日 授权公告日:2024年06月28日 专利权期限:20年 介绍:本发明提供一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法,其分子式为(RExTb1 x)3Sc2Al3O12,0<x<1,RE为稀土元素,本发明通过稀土离子掺杂进行改性生长,采用熔体提拉法生长晶体,掺杂稀土离子优先占据十二面体格位,稀土离子的掺入可以改善熔体特性,减小畸变应力,避免晶体在生长过程中累积热应力,有效的解决了TSAG磁光晶体开裂问题,同时也避免了晶体在后期加工和使用过程中产生开裂的问题,另外本发明的掺杂离子与Tb3+之间发生超交换作用,使得晶体比法拉第效应得以增强,进而提高晶体磁光性能。制备的铽钪铝石榴石磁光晶体完整无开裂,加工性能良好,具有优异的磁光性能,有望实现商业化应用。 3、其他重要事项详见评估报告。 |
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与转让相关的其他条件 | 1、意向受让方须承诺,在递交受让申请并交纳交易保证金后,即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序,完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容,并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果;成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的,否则将视为违约;非因转让方原因所引发的风险因素,由受让方自行承担。 2、意向受让方须承诺,在收到《挂牌结果通知单》之日起5个工作日内与转让方签署《技术转让合同》,并于签订《技术转让合同》之日起5个工作日内支付应付交易价款至转让方指定账户(交易价款无息结算),交易费用支付至中心指定账户(如本项目公告对以上办理时间有不同约定的,从其约定。)协议成交不收取交易费用,若产生竞价,收取竞价佣金。 |