1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人。
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力。
3、本项目不接受联合体受让。

1.转让标的整体受让，不可拆分。
2.专利1：一种上下双超声变频协同的碳化硅晶体剥片装置及剥片方法
介绍：本发明公开了一种上下双超声协同的碳化硅晶体剥片装置及剥片方法,包括如下步骤:采用激光在碳化硅晶体的设定深度处形成改质层,将碳化硅晶体置于低频超声振动平台上;向水槽中加水至设定深度,放下高频超声振动盘,使其浸入水中,且不接触碳化硅晶体;同时开启高频超声振动盘和低频超声振动平台,对碳化硅晶体进行剥片;剥片过程中,高频超声振动盘和低频超声振动平台的振动频率逐步降低。
专利2：一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法
介绍：本发明属于半导体器件领域,涉及一种激光退火碳化硅欧姆接触、器件及其制备方法。对N型4H SiC衬底进行RCA标准清洗,所述N型4H SiC衬底上设置有两层外延层,分别为缓冲层和N型掺杂层;采用离子注入法在4H SiC外延层中制作P型掺杂区和N型掺杂区,快速热退火,得到外延片;在所述外延片的P型和N型区上方沉积金属层形成源极,对源极区域进行高能激光退火,形成欧姆接触。本发明通过Al/Ti/Ni或Ni/Ti金属系与激光退火工艺的配合,在高能量密度下,使金属和碳化硅反应形成复合物的同时在界面形成硅,有效地提升了欧姆接触效果,可同时实现N型和P型欧姆接触。
专利3：一种高效率碳化硅晶锭多物镜并行激光加工装置及方法
介绍：本发明提出了一种高效率碳化硅晶锭多物镜并行激光加工装置及方法,通过激光分束转移单元和激光加工头单元的设置,可在激光发生器的一次发射的基础上,实现多路子加工激光脉冲对碳化硅晶锭的扫描,通过二维运动系统的设置,可调整不同加工物镜所输出的子加工激光脉冲之间的位置关系,可实现对碳化硅晶锭扫描间距的调整,本发明单次扫描即可实现现有的单物镜加工过程多次扫描的效果,将扫描次数减少至单次,可在加工稳定性、剥离难度及质量不变的基础大大降低了加工耗时。
专利4：一种激光剥离4H-SiC晶圆的高效低损磨削方法
介绍：本发明公开了一种激光剥离4H SiC晶圆的高效低损磨削方法,包括如下步骤:采用激光对4H SiC晶体内部进行定向改质处理,形成剥离层,将晶圆与晶体分离;将激光剥离后的晶圆进行显微观察,识别其激光改质层、结构过渡层和本征SiC层;根据不同区域的结构特性,设定分段磨削的进给参数,使激光改质层的进给速度大于本征SiC层的进给速度,使用自动减薄设备和金刚石砂轮进行精密磨削。该分层进给策略实现了加工参数与材料结构特性的匹配,有效提升了磨削过程的稳定性、表面质量和刀具寿命。
专利5：基于空间分束的多焦点脉冲光束并行加工方法及系统
介绍：本公开提供了基于空间分束的多焦点脉冲光束并行加工方法及系统,涉及半导体材料激光加工技术领域,包括激光发生器向SiC晶锭发射脉冲激光;光路调节单元对脉冲激光进行分束及调制,得到多束子脉冲激光;空间光调制器对多束子脉冲激光进行球差补偿,并采用全息图方法对子脉冲激光进行相位调制,生成各种目标光场,并通过切换全息图实时调制目标光场,得到多焦点脉冲激光;激光加工头单元对将多焦点脉冲激光聚焦在SiC晶锭内部设定深度;运动基台控制SiC晶锭与多焦点脉冲激光进行相对运动,并调整SiC晶锭与所述激光加工头单元之间的相对位置,在预设的深度和行进路线上完成对SiC晶锭的扫描加工,最终得到加工的晶片。
专利6：一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法
介绍：本发明公开了一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法,包括如下步骤:采用超短脉冲激光在晶锭中形成多个剥离层,相邻剥离层之间的距离为晶片的厚度;将晶锭放置于提升平台上,调整提升平台的高度,使晶锭的最上方剥离层与夹爪的上表面平齐,然后夹爪夹紧晶锭;采用超声部件对晶锭的上表面施加超声,剥离层在超声作用下开裂,将晶片从晶锭上剥离,利用真空吸附部件将晶片从晶锭上移出,进行后续处理;松开夹爪,调整提升平台的高度,采用相同的方法制备后续的晶片。采用该方法可以实现晶片的连续制备,有效提高了晶片的制备效率。
专利7：一种碳化硅表面改性欧姆接触结构、碳化硅半导体器件及其制备方法
介绍：本发明公开了一种碳化硅表面改性欧姆接触结构、碳化硅半导体器件及其制备方法,属于碳化硅半导体技术领域。欧姆接触结构包括直接连接的改性碳化硅底层和沉积金属表层,所述改性碳化硅底层的内部存在碳空位。制备方法包:在碳化硅上沉积镍薄膜,在碳化硅表面加热生成镍硅复合物层;去除镍硅复合物层和碳团簇,获得改性碳化硅;在改性后的碳化硅上沉积导电金属。本发明首先利用高温退火形成第一次的欧姆接触,之后将镍硅复合物完全腐蚀去除腐蚀后的碳化硅获得了新的洁净表面。高温退火过程在表面形成了碳团簇,能够用氧化的方法去除。之后在碳化硅表面利用低温退火形成第二次欧姆接触,从而使栅氧化层与欧姆接触都能具有良好的性能。

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