1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人；
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力；
3、本项目不接受联合体受让。

1.转让标的整体受让，不可拆分。
2.专利1名称：一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法
专利申请日：2024年07月02日
授权公告日：2025年11月18日
专利权期限：20年
介绍：本申请提供了一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法，浆料为将碳化钽粉末、烧结助剂、粘接剂与有机溶剂按照一定质量分数混合，然后用球磨仪混合悬浊液，形成悬浮液；烧结方法为先将浆料均匀涂覆在石墨件表面，再对涂层进行干燥固化，最后将覆有涂层的石墨件进行烧结。本发明的目的在于以碳化钽粉末和烧结助剂为主体，通过优化的混合溶剂，调配出悬浮稳定性好、固含量高、流动性强、涂覆成膜质量高，涂层经烧结后不龟裂的高质量碳化钽涂层浆料。该方法调配出来的浆料与烧结工艺更加简单，且调配出来的浆料在后续烧结过程中不涉及化学反应，可以避免化学反应过程中副产物产生，制备出来的碳化钽涂层纯度更高、薄膜结晶致密平整。
专利2名称：一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法
专利申请日：2022年06月24日
授权公告日：2024年07月02日
专利权期限：20年
介绍：本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。
3.截至挂牌日，已取得发明专利证书。

意向受让方须承诺，在递交受让申请并交纳交易保证金后，即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序，完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容，并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果；成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的，否则将视为违约；非因转让方原因所引发的风险因素，由受让方自行承担。
意向受让方须承诺，在收到《挂牌结果通知单》之日起15个工作日内与转让方签署《技术转让合同书》，并于签订《技术转让合同书》之日起15个工作日内支付应付交易价款至转让方指定账户（交易价款无息结算），交易费用支付至中心指定账户（如本项目公告对以上办理时间有不同约定的，从其约定）。协议成交不收取交易费用，若产生竞价，收取竞价佣金。